PATENT NOTICE專利公告
新型
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二階段厭氧填充床-流體化薄膜反應槽系統

專利概要
一種二階段厭氧填充床-流體化薄膜反應槽系統包含一厭氧填充床反應槽及一厭氧流體化薄膜反應槽,且該厭氧流體化薄膜反應槽串連於該厭氧填充床反應槽。將提供一低濃度廢水至該厭氧填充床反應槽處理一第一預定時間後,產生一初步處理廢水,並將該初步處理廢水提供至一厭氧流體化薄膜反應槽,且將該初步處理廢水經由該厭氧流體化薄膜反應槽一第二預定時間後,產生一標準排放水。

備註
歡迎對上述研發技術有興趣之業者,填具本校「研究成果技術移轉公司意願表(研-技-5) 」表件,並備妥相關文件資料寄至本校『研發處 產學推廣組』收。 相關網址: http://research.niu.edu.tw/files/11-1006-1040-1.php 備註:本專利暨可移轉技術公開說明會將擇日舉辦,並另行通知廠商(限填具國立宜蘭大學研究成果技術授權公司意願表)參加。 承辦人員:賴昭宇 小姐 聯絡電話:(03) 9317057 電子信箱:cylai@niu.edu.tw。
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