二氧化鈦電極的製作方法

專利概要
本發明提供一種二氧化鈦電極的製作方法，包含溶液配製步驟以及浸置反應步驟，其中係將導電玻璃浸置於反應溶液中並加熱使其反應，在導電玻璃上形成二氧化鈦層而形成二氧化鈦電極，該二氧化鈦層的微結構為下層為銳鈦礦相、上層為金紅石相的雙層結構。藉由加入微量的硫酸根離子，便可視所需調控晶相的生成而形成雙層結構。此外，本發明係以浸置方式直接沉積二氧化鈦層，如此便減少了傳統漿料製作、塗佈及預燒的多次步驟，而能夠節省製程時間及成本。

備註
歡迎對上述研發技術有興趣之業者，填具本校「研究成果技術移轉公司意願表(研-技-5) 」表件，並備妥相關文件資料寄至本校『研發處 產學推廣組』收。 相關網址： http://research.niu.edu.tw/files/11-1006-1040-1.php 備註：本專利暨可移轉技術公開說明會將擇日舉辦，並另行通知廠商（限填具國立宜蘭大學研究成果技術授權公司意願表）參加。 承辦人員：賴昭宇 小姐 聯絡電話：(03) 9317057 電子信箱：cylai@niu.edu.tw